这个问题,你最好把模电书拿出来,翻到mosfet的结构那张图。对于n沟道. 增强. 型mosfet而言,只要ugs>ugs(th),就会出现反型层,也就是在s、d两个高浓度掺杂区之间出现n区,n沟道 …
2020年6月6日 · 当漏极电压继续升高,如果超过栅电压,造成沟道右边不满足开通条件而 夹断。之所以出现夹断点,是因为在这个点,栅极对电子的吸引力被漏极取代。
2025年1月13日 · 在某些情况下,即使mosfet的沟道被夹断(也称为沟道凹陷或沟道夹断效应),它仍然能够将恒定的载流子(电子或空穴)发送到电路中。这种现象对于理解mosfet的高 …
当 漏极电压 继续升高,如果超过栅电压,造成沟道右边不满足开通条件而“夹断”。 之所以出现夹断点,是因为在这个点, 栅极 对电子的吸引力被漏极取代。
2018年10月31日 · 好,现在我们重新修正下公式,给出一个完整的公式:(因为通常用源级作为参考电压,所以不用v_gd这种表达,v_gd=v_gs-v_ds,所以夹断效应的条件就变成了 …
2024年12月13日 · 该方法基于物理意义上的耗尽层模型和夹断式冷FET的两端口网络的理论分析。 这种方法的主要优点是可以在不同的夹断条件下提取寄生电容C-pg,C-pd和C-pdg。 对于2 x …
2022年1月21日 · 在某些情况下,即使mosfet的沟道被夹断(也称为沟道凹陷或沟道夹断效应),它仍然能够将恒定的载流子(电子或空穴)发送到电路中。这种现象对于理解mosfet的高 …
2021年11月15日 · 相比 导通损耗 和续流损耗,mos管开通和管断的过程要复杂得多。 为了对MOS的开通过程有更好的分析,我们先回顾两个比较基本的概念。 U = I*R,R是电阻,它可 …
2023年2月16日 · 深入理解mosfet的夹断效应-根据沟道中电荷的分布特点得出了i_d随v_gs和v_ds的变化的公式,进而得到了伏安特性曲线。 扫一扫,分享给好友 复制链接分享
当门极施加的正电压超过MOS的门极开通电压Vth时,在门级下方形成充斥电子的反型层(图中inversion channel),形成MOS导通沟道。 当漏极的电压很小时(Vd《(Vg-Vth)),整个通道 …