2023年5月26日 · 不改变工艺让芯片面积减少 30%，三星组建团队开发 4F Square DRAM; 消息称三星半导体将减少 10% 晶圆投片量，EUV 产线成重灾区; 应用处理器成本下降 20%，消息称三星 Galaxy Z Flip 5 / Z Fold 5 售价便宜 10 万韩元; 消息称三星开始测试 Galaxy S23 FE 手机欧洲版固件

2023年5月26日 · 三星再组织团队，研发4F²DRAM储存单元结构芯片，新结构晶体管根据电流流入和流出方向，形成 源极 （S）、栅极（G）和漏极（D）等整套系统。 结构就是在漏极（D）上方安装储存电荷的电容器，晶体管和水平排列的 WL 线和垂直排列的 BL 线接触。 WL 连到栅极（G），负责晶体管开与关; BL 连到源极（S），负责读取和写入数据。 线上会议报名提醒. 据韩媒 The Elec 报道，存储器大厂三星组建一支专业团队，负责开发 4F² DRAM 储存单元结构。 相较 …

2024年5月21日 · 市面现有的 dram 内存采用 6f 2 结构， 换用 4f 2 结构可缩减约 30% 面积 ，提高存储密度，不过也对 dram 材料提出了更高的要求。 除通过堆叠提升容量外，VS-CAT DRAM 还能降低电流干扰。

2023年5月26日 · 报道称，多位负责人24日透露，三星电子近日在其半导体研究中心内组建了一个开发团队，以量产4f²单元结构dram为目标，计划将4f²应用于10纳米以下的dram制程，以目前的技术预计将面临线宽缩减的极限。

2024年7月23日 · 资料显示，4F Square是三星开发的下一代DRAM技术，其中“F”是特征尺寸（Feature Size），用以衡量DRAM单元中晶体管等组件尺寸；“Square”则用于衡量向单元中的晶体管施加电压的组件面积大小。

2024年5月25日 · 三星计划在2025年内部发布4F Square工艺，并逐步推进3D DRAM的研发。 3D DRAM被认为是下一代DRAM技术发展的关键，将通过垂直堆叠实现更高的内存容量和更高的效率。

4F Square 是一种单元结构技术，DRAM 行业早在 10 年前就尝试商业化，但最后以失败告终。 三星组建了专业的团队， 研发 4F² 结构。 IT之家从韩媒报道中获悉，晶体管根据电流流入和流出的方向，形成源极（S）、栅极（G）和漏极（D）整套系统。

2023年5月27日 · 三星再组织团队，研发4F²DRAM储存单元结构芯片，新结构晶体管根据电流流入和流出方向，形成源极（S）、栅极（G）和漏极（D）等整套系统。 结构就是在漏极（D）上方安装储存电荷的电容器，晶体管和水平排列的 WL 线和垂直排列的 BL 线接触。 WL 连到栅极（G），负责晶体管开与关; BL 连到源极（S），负责读取和写入数据。 特别声明：以上内容 (如有图片或视频亦包括在内)为自媒体平台“网易号”用户上传并发布，本平台仅提供信息存储服务。

2023年5月26日 · 三星组建了专业的团队，研发 4F square 结构。 IT之家从韩媒报道中获悉，晶体管根据电流流入和流出的方向，形成源极（S）、栅极（G）和漏极（D）整套系统。

2023年5月26日 · 三星组建了专业的团队，研发 4F square 结构。 IT之家从韩媒报道中获悉，晶体管根据电流流入和流出的方向，形成源极（S）、栅极（G）和漏极（D）整套系统。