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半导体封装Wire Bonding弹坑问题的技术研究的详解; - 知乎
2024年3月27日 · 而弹坑是由于焊球在压到芯片焊区表面时,接触力、 键合力 和键合功率设置匹配不当导致焊区的硅层受到损伤,如果弹坑损伤比较轻微 展开阅读全文
如何做半导体器件弹坑试验 - 知乎 - 知乎专栏
2019年5月12日 · 在半导体封装工艺中,弹坑试验是用来评估键合参数以及键合可靠性的。 键合工艺使用的材料一般是金线,铜线或铝线,其中铝线一般是在大功率的产品中使用,铜线在解决了可靠性的问题之后应用也越来越多。
引线键合弹坑试验方法和可靠性研究 - 百家号
2024年10月2日 · 本文研究了集成电路封装中引线键合弹坑的危害与试验原理,总结了弹坑试验流程和方法,通过切片和可靠性测试验证了不同芯片Pad结构弹坑对产品可靠性的影响,提出了正确、高效、安全的试验方法,以提高质量检测效率。
弹坑试验-金鉴实验室 - gmatg.com
弹坑检测实验的目的是为了观察芯片焊盘在与键合球结合后,有无出现损伤。 观察前,需要移走键合球且不能使芯片受到影响,常⽤的手法均使⽤⼀定浓度的强酸或强碱。
【光电集成】芯片弹坑的形成与如何判断弹坑-电子工程专辑
2024年8月13日 · 弹坑现象在 Wire Bonding 封装过程中是一个常见的问题,弹坑和Pad失铝都是在封装过程中压焊芯片时产生的不良现象。 弹坑是由于压焊时输出能量过大,使芯片压焊区铝垫下层Barrier或Oxide受损而留下裂纹;而Pad失铝则是由于压焊时输出能量过大, ...
半导体器件铜线焊接的弹坑问题研究与参数优化 - 豆丁网
2015年9月28日 · 弹坑是由于焊球在压到芯片焊区表面时,接触力、键合力和键合功率设置匹配不当, 导致的焊区的硅层受到损伤。 如果弹坑损伤比较轻微,弹坑一般呈月牙型,当弹坑损伤比较
芯片弹坑的形成与如何判断弹坑 - IC梦工场
弹坑现象在Wire Bonding封装过程中是一个常见的问题,弹坑和Pad失铝都是在封装过程中压焊芯片时产生的不良现象。 弹坑是由于压焊时输出能量过大,使芯片压焊区铝垫下层Barrier或Oxide受损而留下裂纹;而Pad失铝则是由于压焊时输出能量过大,使 ...
芯片弹坑的形成与如何判断弹坑 - 百家号
2024年8月11日 · 弹坑现象在 Wire Bonding 封装过程中是一个常见的问题,弹坑和Pad失铝都是在封装过程中压焊芯片时产生的不良现象。 弹坑是由于压焊时输出能量过大,使芯片压焊区铝垫下层Barrier或Oxide受损而留下裂纹;而Pad失铝则是由于压焊时输出能量过大, ...
芯片弹坑的形成与如何判断弹坑 - 电子发烧友网
2024年8月12日 · 弹坑是由于焊球在压到芯片焊区表面时,接触力、键合力和键合功率设置匹配不当导致焊区的硅层受到损伤,如果弹坑损伤比较轻微,弹坑一般呈月牙型,当弹坑
半导体封装Wire Bonding弹坑问题的技术研究的详解;_百度知道
2024年11月25日 · 本文将深入探讨弹坑的基本知识、Pad结构对其影响、参数优化方法以及实验原理与方法,以期全面了解并解决弹坑问题。 一、弹坑的基本知识 弹坑影响产品的性能和可靠性,主要体现在以下几个方面: