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孙颖莎WTT新加坡大满贯,首战表现出色!
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on MSN
等离子体刻蚀新突破:硅垂直通道蚀刻速度翻倍!
科学界传来新突破,一项由Lam ...
5 小时
利用等离子体刻蚀技术 硅垂直通道蚀刻效率提高100%
研究还发现,结合三氟化磷等特定化学材料可以进一步改进蚀刻工艺。然而,需要注意到的是,在某些情况下,一些副产品可能会影响蚀刻效率。但只需加入适量的水就可以解决这个问题。例如,在低温下加入水可以让盐分解,并加速整个过程。
13 小时
on MSN
科学家发现更高效蚀刻 3D NAND 内存的方法
为了改进数据存储,研究人员正在完善三维 NAND 闪存,这种闪存将单元堆叠起来,以最大限度地利用空间。研究人员发现了一种更快、更高效的方法,可利用先进的等离子体工艺在 3D NAND 闪存中蚀刻深孔。
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