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近期，长鑫存储技术有限公司申请的名为“CMOS器件及其形成方法”的专利引发了行业的广泛关注。这项专利的公开号为CN119364851A，申请日期为2023年7月，旨在提高CMOS器件的集成度。随着现代电子设备对性能和空间的不断追求，CMOS（互补金属 ...