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芯报丨中科院基于新型SiC复合衬底的低成本MOSFET取得重要进展
基于新型6英寸SiC复合衬底成功实现高性能低成本1200V SiC MOSFET。该复合衬底表现出与高质量衬底相当的缺陷密度,界面热阻低至2.8 +1.4/-0.7 m²K/GW ...
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Typical Application for LTC6269 - Dual 500MHz Ultra-Low Bias Current FET Input Op-Amp
LTC6269 的典型应用 - 双路 500MHz 超低偏置电流FET 输入运算放大器。 LTC6268/LTC6269 是一款单路/双路 500MHz FET 输入运算放大器，具有极低的输入偏置电流和低输入电容 LTC6269HDD#PBF Op Amps Op Amp Dual Precision Amplifier R-R O/P ±2.625V/5.25V Automotive ...