近日，有外媒透露消息称松下可能会在今年2月正式发布全画幅无反新机Lumix S1R II，松下的S1R系列终于也要更新换代了。

佳能今日宣布了一项重大技术突破，成功开发出具有4.1亿像素（24592 x 16704）的全画幅背照堆叠式CMOS传感器。这一创新成果不仅刷新了35mm全画幅相机的像素纪录，更为监控、医学和工业等高分辨率需求领域带来了全新的解决方案。

👆如果您希望可以时常见面，欢迎标星🌟收藏哦~ 来源：内容编译自IEDM，谢谢。 编者按 在IEDM 2024上，SK海力士和美光就DRAM和NAND的未来发展分享了他们的各自观点，在本篇文章中，我们综合了两家的观点，以飨读者。

随着英特尔迈向又一次重大变革——从 FinFET 转向 RibbonFET（更通俗的说法是纳米片晶体管）—— IEEE Spectrum向 Ghani 询问迄今为止最危险的变革是什么。在这个设备整个架构都发生改变的时代，他的回答有些令人惊讶，那就是早在 2008 年就引入的一项变革，从外观上看，晶体管与以前非常相似。

综上所述，晶芯成在半导体领域的最新专利不仅是公司技术发展的重要里程碑，也为整个行业带来了新的思考与机遇。随着CMOS技术的不断优化，我们有理由期待在不久的将来，能够看到更加高效、智能的设备出现在日常生活中，这将深刻影响我们的工作和生活方式，推动各行各业的转型与升级。

在半导体技术迅速发展的今天，晶芯成（北京）科技有限公司近日申请了一项 új专利，名为“半导体结构、半导体结构的制造方法以及CMOS器件”。这一专利的申请无疑将为CMOS器件的性能提升注入新的动力。根据国家知识产权局的信息，这项专利在2024年12月正式提交，公开号为CN119364836A，涉及了多个关键技术细节，展示了晶芯成在半导体领域的创新能力。