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科学界传来新突破，一项由Lam Research、科罗拉多大学博尔德分校及美国能源部普林斯顿等离子体物理实验室（PPPL）携手研发的新型蚀刻工艺近日曝光。这项创新技术运用氟化氢等离子体，成功将硅材料垂直通道的蚀刻效率翻倍，仅需短短一分钟，便能完成640纳米的蚀刻作业。

研究还发现，结合三氟化磷等特定化学材料可以进一步改进蚀刻工艺。然而，需要注意到的是，在某些情况下，一些副产品可能会影响蚀刻效率。但只需加入适量的水就可以解决这个问题。例如，在低温下加入水可以让盐分解，并加速整个过程。

为了改进数据存储，研究人员正在完善三维 NAND 闪存，这种闪存将单元堆叠起来，以最大限度地利用空间。研究人员发现了一种更快、更高效的方法，可利用先进的等离子体工艺在 3D NAND 闪存中蚀刻深孔。