格隆汇2月10日丨芯导科技(688230.SH)在投资者互动平台表示，近年来随着全球能源结构向低碳化转型加速为功率半导体产业带来巨大机遇，公司聚焦新能源应用领域，集中发力加快发展GaN、SiC、IGBT等新型功率半导体业务。 公司650V GaN ...

芝能智芯出品随着功率器件需求在不同应用场景中的快速增长，单一材料的解决方案已经无法满足电压和电流范围的全面要求。基于此，复合材料与创新架构逐渐成为改善器件性能的关键手段，氮化镓（GaN）凭借高电子迁移率和开关速度的优势，在低功耗和部分高压应用中展现出强大的竞争力。通过与硅（Si）和碳化硅（SiC）等材料的结 ...

金融界2025年1月31日报道，苏州华太电子技术股份有限公司近日在国家知识产权局申请了一项名为《一种GaN HEMT器件》的专利（公开号CN119384002A），标志着该公司在高电子迁移率晶体管（HEMT）领域的技术进步。本次专利申请于2024年12月提交，涉及一种新的GaN HEMT器件结构，可能为未来的半导体技术应用提供新的解决方案。

在当前科技飞速发展的背景下，半导体技术的创新成为提升智能设备性能的关键。今年1月，苏州华太电子技术股份有限公司成功申请了一项名为"一种GaN HEMT器件"的专利，这标志着其在GaN（氮化镓）高电子迁移率晶体管（HEMT）领域的重要突破。根据国家知识产权局的公示信息，该专利于2024年12月提出，旨在提供一种全新的GaN HEMT器件结构，期待将对电子设备的性能产生深远影响。

通过引入超结 GaN HEMT 结构，利用交替的 p-GaN 和 2DEG 材料条纹优化电场分布，使器件击穿电压超过 10kV，进一步扩展了 GaN 在极高压场景下的应用潜力。

通过引入超结 GaN HEMT 结构，利用交替的 p-GaN 和 2DEG 材料条纹优化电场分布，使器件击穿电压超过 10kV，进一步扩展了 GaN 在极高压场景下的应用潜力。 垂直器件架构因其高功率密度和更优的散热性能而备受关注。 斯坦福大学提出的环绕栅极电流孔径垂直电子 ...

根据国家知识产权局的公示信息，该专利于2024年12月提出，旨在提供一种全新的GaN HEMT器件结构，期待将对电子设备的性能产生深远影响。 这款新型 ...

据了解，松下汽车团队之前已经使用硅基650V横向GaN HEMT开发了原型 OBC，由于硅衬底很难实现1200V耐压，该团队通过采用GaN衬底制作GaN器件，并优化结构，实现了更高的击穿电压和可靠性，包括优化电极结构（漏极、栅极、源极）和场板的形状，以减轻与较高击穿 ...