English
全部
图片
灵感
创建
集合
视频
地图
资讯
购物
更多
航班
旅游
酒店
搜索
笔记本
自动播放所有 GIF
在这里更改自动播放及其他图像设置
自动播放所有 GIF
拨动开关以打开
自动播放 GIF
图片尺寸
全部
小
中
大
特大
至少... *
自定义宽度
x
自定义高度
像素
请为宽度和高度输入一个数字
颜色
全部
彩色
黑白
类型
全部
照片
插图
素描
动画 GIF
透明
版式
全部
方形
横版
竖版
人物
全部
脸部特写
半身像
日期
全部
过去 24 小时
过去一周
过去一个月
去年
授权
全部
所有创作共用
公共领域
免费分享和使用
在商业上免费分享和使用
免费修改、分享和使用
在商业上免费修改、分享和使用
详细了解
重置
安全搜索:
中等
严格
中等(默认)
关闭
筛选器
720×480
zhuanlan.zhihu.com
在常关Ga2O3晶体管方面取得进展 - 知乎
654×213
sohu.com
SCMs|NiO/Ga2O3 p+-n异质结功率二极管中陷阱介导双极型电荷输运研究_电子器件_能级_China
600×342
zhuanlan.zhihu.com
郝跃院士:第三代半导体的若干新进展 - 知乎
491×349
搜狐汽车
一文说明第三代半导体_材料
599×464
sohu.com
功率半导体Ga2O3开始挑战GaN和SiC_氧化镓
554×353
sohu.com
风力发电成开拓新领地 功率器件领导厂商纷纷谋篇布局_电压
640×250
wecorp.com.cn
华清电子-详情页
500×476
x-mol.com
NiO/Ga2O3 p+-n 异质结功率二极管中陷阱介导 …
474×258
antpedia.com
备受看好的氧化镓材料是什么来头? (二)
640×922
caifuhao.eastmoney.com
综述:氧化镓材料与功率器 …
600×300
utrendtech.com
行业新闻
277×245
x-mol.com
高效Ga2O3基功率器件低漏电流和导通电阻接口工 …
301×179
x-mol.com
用于高压 α-Ga2O3 功率器件的成分梯度 α-(AlxGa1-x)2O3 …
500×298
x-mol.com
用于超宽带隙电子器件热管理的 Ga2O3-on-SiC 复合晶片,ACS Applied Materials & Interf…
1250×702
ab-sm.com
南科大深港微电子学院在宽禁带半导体器件领域取得系列研究进展 - 艾邦半导体网
470×368
iawbs.com
全球首款!日本Novel成功开发出安培级1200V氧化镓SBD …
601×287
wonder-sino.com
天津市万德思诺国际贸易有限公司
1255×439
767stock.com
【行业】功率半导体-国产化替代正当时(24页)_乐晴智库
356×373
elecfans.com
功率半导体之战 Ga2O3挑战GaN …
989×340
wonder-sino.com
天津市万德思诺国际贸易有限公司
600×380
byteclicks.com
苏州纳米所在功率半导体器件和集成电路研究中取得进展 - 字节点击
600×381
reportrc.com
一图看懂:不同功率器件所处的优势领域 - 锐观网
500×319
gao-tec.com.cn
功率半导体氧化镓到底是什么?-北京铭镓半导体有限公司
1535×472
fx361.com
溅射功率及退火处理对Ga2O3薄膜特性的影响_参考网
800×428
casmita.com
美国康奈尔大学教授Huili Grace XING:对抗氮化镓和碳化硅的氧化镓功率器件G…
1014×795
kwbs.xidian.edu.cn
常晶晶教授研究组受邀在Journal of Materials Che…
766×262
elecfans.com
功率器件上市公司中报披露,高增长,发力新能源-电子发烧友网
734×416
casmita.com
中国电科十三所王元刚:高性能Ga2O3,SBD功率器件研究_产业_新闻资讯_半导体产业网
444×200
xjishu.com
一种抗辐照GaN/Ga2O3的Cascode级联增强型功率器件及其制作方法与流程
1483×850
xjishu.com
一种制备p型β-Ga2O3的方法、制备得到的β-Ga2O3及其应用与流程
1883×692
xjishu.com
一种垂直β-Ga2O3肖特基势垒二极管及其制备方法
670×521
laoyaoba.com
第四代半导体氧化镓的机遇与挑战
1080×606
eet-china.com
氧化镓异质集成和异质结功率晶体管研究进展-电子工程专辑
839×66
eet-china.com
氧化镓异质集成和异质结功率晶体管研究进展-电子工程专辑
1602×908
zsrm.cn
【氮化镓】利用Ga2O3缓冲层改善SiC衬底AlN/GaN/AlGaN HEMT器件性能
某些结果已被隐藏,因为你可能无法访问这些结果。
显示无法访问的结果
报告不当内容
请选择下列任一选项。
无关
低俗内容
成人
儿童性侵犯
反馈